北京芯盈速腾电子科技有限责任公司 main business:研发、设计、委托生产集成电路；研发、生产计算机软件；销售自产产品；集成电路及软件产品的批发、佣金代理（拍卖除外）；货物进出口、代理进出口、技术进出口；提供技术服务、技术咨询、技术转让。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 110000450152512
- 9111030256035224X6
- 开业
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2010年10月12日
- 马松涛
- 5000.000000
- 2010年10月12日 至 2060年10月11日
- 北京市工商行政管理局北京经济技术开发区分局
- 2017年01月04日
- 北京市北京经济技术开发区地盛中路3号1幢A座206室
- 研发、设计、委托生产集成电路；研发、生产计算机软件；销售自产产品；集成电路及软件产品的批发、佣金代理（拍卖除外）；货物进出口、代理进出口、技术进出口；提供技术服务、技术咨询、技术转让。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 北京信用速腾电子科技有限责任公司 | www.xinnovatech.com |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TWI534959 | 非挥发性记忆体单元及其制造方法 | 2016.05.21 | 明提供一种非挥发性记忆体单元，包含一基板，该基板的上表面形成一源极区及一汲极区。一第一介电层形成于源 |
| 2 | CN105931993A | 非挥发性存储单元及其制作方法 | 2016.09.07 | 本发明揭露一种非挥发性存储单元及其制作方法，非挥发性存储单元包括一基板、一选择闸极、一抹除闸极、一浮 |
| 3 | CN103794609B | 非挥发性内存单元及非挥发性内存矩阵 | 2016.12.07 | 本发明公开了一种非挥发性内存单元的结构，包含一基板，具有一上表面，上表面上形成一沟渠结构，沟渠结构具 |
| 4 | CN106449643A | 非挥发性内存单元的制造方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种非挥发性内存单元的结构，包含一基板，具有一上表面，上表面上形成一沟渠结构，沟渠结构具 |
| 5 | CN103745140B | 微控制器及其他嵌入式系统程序代码保护方法和装置 | 2017.01.25 | 本发明公开了一种微控制器及其他嵌入式系统程序代码保护方法，包括以下步骤：提供至少一处理单元，一总线控 |
| 6 | CN103794610B | 非挥发性内存单元及其制造方法 | 2016.08.17 | 本发明涉及一种非挥发性内存单元，包含一基板，该基板的上表面形成一源极区及一漏极区。一第一介电层形成于 |
| 7 | CN105633091A | 非挥发性内存总成及其制作方法 | 2016.06.01 | 本发明有关于一种非挥发性内存总成及其制作方法。所述非挥发性内存总成包括基底，具有源极区以及汲极区，形 |
| 8 | CN105633090A | 非挥发性内存总成及其制作方法 | 2016.06.01 | 一种非挥发性内存总成，包括基底、第一介电层、抹除闸极、浮动闸极、第二介电层、耦合介电层以及耦合控制闸 |
| 9 | CN105553364A | 基于霍尔信号区间角度估计的电机向量控制方法 | 2016.05.04 | 本发明涉及一种基于霍尔信号区间角度估计的电机向量控制方法，主要是利用取得霍尔信号一个电周期中各个区间 |
| 10 | CN105514043A | 非挥发性内存元件的制作方法及非挥发性内存元件 | 2016.04.20 | 本发明有关于一种非挥发性内存元件的制作方法及非挥发性内存元件。非挥发性内存元件包括基底、第一介电层、 |
| 11 | CN105448930A | 非挥发性内存总成及其制作方法 | 2016.03.30 | 本发明有关于一种非挥发性内存总成及其制作方法。非挥发性内存总成包括基底，具有源极区及汲极区，形成于基 |
| 12 | TWI482237 | 浅沟渠隔离结构及其制造方法及非挥发性记忆体制造方法 | 2015.04.21 | |
| 13 | CN103066006B | 浅沟渠隔离结构及其制造方法及非挥发性内存制造方法 | 2015.03.11 | 本发明涉及一种浅沟渠隔离结构及其制造方法及非挥发性内存制造方法，其可应用于非挥发性内存的制造。该方法 |
| 14 | CN103811498A | 一种低电场源极抹除非挥发性内存单元及其制造方法 | 2014.05.21 | 本发明涉及一种低电场源极抹除非挥发性内存单元，包含一基板，该基板具有上表面或与上表面相接的沟槽，上表 |
| 15 | CN103794609A | 非挥发性内存单元及非挥发性内存矩阵 | 2014.05.14 | 本发明公开了一种非挥发性内存单元的结构，包含一基板，具有一上表面，上表面上形成一沟渠结构，沟渠结构具 |
| 16 | CN103794610A | 非挥发性内存单元及其制造方法 | 2014.05.14 | 本发明涉及一种非挥发性内存单元，包含一基板，该基板的上表面形成一源极区及一漏极区。一第一介电层形成于 |
| 17 | CN103745140A | 微控制器及其他嵌入式系统程序代码保护方法和装置 | 2014.04.23 | 本发明公开了一种微控制器及其他嵌入式系统程序代码保护方法，包括以下步骤：提供至少一处理单元，一总线控 |
| 18 | CN103066006A | 浅沟渠隔离结构及其制造方法及非挥发性内存制造方法 | 2013.04.24 | 本发明涉及一种浅沟渠隔离结构及其制造方法及非挥发性内存制造方法，其可应用于非挥发性内存的制造。该方法 |
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